Explicit empirical model for photovoltaic devices. Experimental validation

Abstract

È stato effettuato un confronto tra le caratteristiche sperimentali corrente-tensione (I-V) e potenza-tensione (P-V) dei moduli fotovoltaici e la previsione fornita da un modello empirico esplicito. Il modello consiste in un’espressione esplicita della corrente in funzione della tensione; gli unici dati di input sono i parametri che sono sempre direttamente disponibili nella scheda tecnica del produttore. Il confronto è stato effettuato su quattro tecnologie fotovoltaiche rappresentative, basate su silicio policristallino, etero-giunzione con strato sottile intrinseco (HIT), seleniuro di rame-indio-gallio (CIGS) e tellururo di cadmio (CdTe). Il confronto rivela che il modello riproduce le curve I-V e P-V sperimentali con un ottimo grado di accuratezza per le condizioni operative e le tecnologie fotovoltaiche considerate. Questa validazione segna una svolta nella modellizzazione fotovoltaica, poiché consente un utilizzo affidabile di questo modello.

Keywords

CdTe; CIGS; HIT; I-V and P-V characteristics

Reference

A. Massi Pavan, S. Vergura, A. Mellit, V. Lughi, Explicit empirical model for photovoltaic devices. Experimental validation, Solar Energy, Volume 155,2017, Pages 647-653, ISSN 0038-092X

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